一、含硅廢水中二氧化硅（硅）造成膜污堵原因包括：

結垢形成： 二氧化硅在水中可以形成硅酸鹽，特別是在高硅含量的水源中。當水通過膜過濾時，硅酸鹽可能會沉積在膜表面或孔隙中，逐漸形成結垢。這些沉積物會導致膜的有效孔徑減小，降低水通量，最終造成膜的污堵。

結晶形成：在一些情況下，硅可以以晶體形式沉積在膜表面上。這些硅晶體會形成物理性的屏障，阻礙水的透過，并促進其他污染物質的附著和沉積，加劇膜的污堵。

氧化還原作用：硅可以參與氧化還原反應，特別是在存在氧氣和其他氧化劑的情況下。這些氧化還原反應可能導致硅在膜表面形成氧化物或水合物，進一步增加膜的污染和降低水通量。

反應活性：二氧化硅本身具有一定的化學反應活性，它可以與水中的其他成分發生化學反應，形成新的化合物。這些新化合物可能會附著在膜表面上，導致膜污堵。

二、工業廢水處理中主要除硅方法

工業廢水處理中除去硅的方法取決于硅的形態、濃度以及廢水的性質。以下是一些常見的除去硅的方法：

沉淀法：沉淀法是通過加入適當的沉淀劑，使硅以固體沉淀的形式從廢水中去除。常用的沉淀劑包括氫氧化金屬、氫氧化鈣等。

過濾法：過濾法是將廢水通過過濾介質，如砂濾或活性炭，去除懸浮的硅顆粒。

離子交換法： 離子交換樹脂可以用來去除廢水中的硅離子。硅離子在離子交換樹脂上被吸附，從而使廢水中的硅濃度降低。

生物處理法：生物處理過程中的生物活性污泥可能會吸附和降解廢水中的一些有機硅化合物。

三、蘇州無為環境科技有限公司的電絮凝技術對含二氧化硅及其他含硅廢水均具有很好的除硅作用，其主要原理：

電解過程：在金屬極板電絮凝技術中，通過施加電流，在陽極產生氧氣，而在陰極產生氫氣。這種電解過程使廢水中的硅離子和其他溶解物質發生電化學反應，促使其聚集成為顆粒，并沉積到廢水底部。

氣泡形成：在電解過程中，產生的氣泡可以提供表面活性，促進顆粒的聚集和沉降。氣泡的存在增加了廢水中的氣-液界面，促進了絮凝物質的聚集和沉淀。

金屬離子的釋放：在金屬極板電絮凝過程中，金屬極板會釋放出金屬離子，這些金屬離子可以與廢水中的硅離子和其他顆粒物質發生化學反應，形成不溶性的沉淀物。這些沉淀物質會與廢水中的硅結合，并一同沉淀下來。

pH值控制：硅在不同的pH條件下存在不同的形態，例如在較低的pH條件下，硅以硅酸鹽的形式存在，而在較高的pH條件下，硅以多聚硅酸鹽的形式存在。通過調節電絮凝系統的pH值，可以優化硅的去除效果。

電流密度和時間：電絮凝過程中的電流密度和處理時間也會影響硅的去除效果。合適的電流密度和處理時間可以提高絮凝效率和去除效果。

水質特性：廢水的水質特性也會影響電絮凝的效果，例如廢水中的其他成分和溶解物質可能會影響絮凝劑的作用效果。

絮凝劑的作用：通常在金屬極板電絮凝過程中，也會添加絮凝劑來促進顆粒的聚集和沉淀。絮凝劑能夠改變廢水中顆粒的表面電荷特性，使其更易于相互吸引并聚集成較大的絮凝體。

蘇州無為環境科技有限公司專注電絮凝技術多年，在工業廢水處理技術中的除硅、破乳、脫色、膠體脫穩等技術領域均能發揮出優異效果。

綜上所述，電絮凝技術通過電解過程、氣泡的形成、金屬離子的釋放以及絮凝劑的作用等多種機制相結合，促使水中的硅離子和顆粒物質聚集沉淀，從而實現硅的有效去除。這種技術對于處理含硅廢水具有較好的效果，并在工業廢水處理中得到廣泛應用。